NVIDIA não aguenta mais! NVIDIA junta-se à Samsung para desenvolver NAND próprio, serão eliminadas as fábricas de memória focadas apenas em capacidade produtiva?

Muitas pessoas não percebem que o papel da indústria de memória está a passar por uma transformação fundamental. No passado, a Nvidia, gigante dos GPUs, era apenas uma grande compradora de memória; agora, está a assumir uma posição mais profunda na cadeia de produção: a participar diretamente no design da próxima geração de chips de armazenamento. Segundo notícias sul-coreanas, a Samsung estabeleceu uma parceria com a Nvidia para desenvolver conjuntamente a próxima geração de memória NAND Flash. No futuro, a memória deixará de ser um produto padronizado e passará a ser um componente central feito à medida para arquiteturas de IA.

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Nvidia acelera o desenvolvimento de chips com modelos de IA em 10.000 vezes

Fontes informaram que o Instituto de Semicondutores da Samsung, a Nvidia e a equipa de investigação do Georgia Institute of Technology desenvolveram conjuntamente um modelo de IA chamado Physics-Informed Neural Operator (PINO). Este sistema pode analisar o desempenho de novos dispositivos de memória NAND, sendo mais de 10.000 vezes mais rápido do que os métodos tradicionais de simulação.

Na investigação de semicondutores, os engenheiros normalmente dependem de uma ferramenta de simulação chamada TCAD (Technology Computer-Aided Design) para testar os designs de chips. No entanto, este método leva cerca de 60 horas por execução, limitando severamente a eficiência do desenvolvimento. A equipa de investigação combinou leis físicas com redes neurais, permitindo que a IA compreenda o comportamento físico dos materiais e dispositivos, reduzindo o tempo de simulação para menos de 10 segundos. Este avanço foi publicado na comunidade internacional de investigação.

A arma secreta da Samsung: NAND ferroelectrónico

A tecnologia central desta colaboração é uma nova técnica de armazenamento baseada em materiais ferroelectrónicos. As propriedades destes materiais permitem manter o estado de polarização de cargas positivas ou negativas mesmo sem energia contínua, podendo assim armazenar informações com consumo extremamente baixo de energia. A Samsung tem sido líder nesta área de investigação. Em finais de 2025, a Samsung publicou na revista Nature que o consumo de energia do NAND ferroelectrónico pode ser reduzido em cerca de 96% em comparação com o NAND tradicional.

Isto significa que, no futuro, os sistemas de IA ao acederem a grandes volumes de dados poderão fazê-lo com um consumo de energia significativamente menor.

Fabricantes de memória que apenas aumentam a capacidade sem melhorar a tecnologia serão eliminados?

Esta colaboração simboliza que a competição por memórias para IA entrou numa nova fase. No passado, a Nvidia apoiava-se principalmente na compra de memórias de alta largura de banda (HBM) e NAND para suportar GPUs de IA. Agora, decidiu desenvolver memórias dedicadas, à medida que o crescimento explosivo dos modelos de IA faz com que a arquitetura de armazenamento se torne parte integrante do design de sistemas de IA. Talvez, no futuro, os chips de memória deixem de ser componentes genéricos e passem a ser “plugins” de arquitetura feitos à medida para sistemas de IA.

De acordo com a Agência de Propriedade Intelectual da Coreia (KIPO), atualmente, 43,1% das patentes relacionadas com ferroelectrónica a nível mundial são de origem sul-coreana, sendo que a Samsung detém 27,8% dessas patentes.

Este artigo, “Nvidia não aguenta mais! Nvidia junta-se à Samsung para desenvolver NAND própria, fabricantes de memória focados apenas na capacidade serão eliminados?”, foi originalmente publicado na Chain News ABMedia.