$209M 投资:印度在奥里萨邦推出首座先进3D芯片封装工厂

GateNews

Gate News消息,4月20日——印度在奥里萨邦举行了首座先进3D芯片封装设施的奠基仪式,总投资为194亿卢比 (约 $209 百万)。该工厂位于霍尔达的Info Valley,并由英特尔资本和洛克希德·马丁风险投资支持,目标在2028年8月实现商业量产,并在2030年8月实现全面产出。

美国芯片封装公司3D Glass Solutions正在开发该设施,重点推进先进芯片封装以及嵌入式玻璃基板ATMP (组装、测试和封装)。该工厂将采用510毫米 x 515毫米的大尺寸面板级加工工艺,使其工艺超越公司在美国新墨西哥州阿尔伯克基现有的150毫米和200毫米晶圆工艺。玻璃基板作为用于构建和连接芯片的薄基底层,与传统材料相比可提供更优的电气性能和热稳定性,从而降低人工智能以及5G/6G网络等高频系统中的信号损失和封装应力。

该项目已获得主要芯片设计商的意向书和指示性承诺。Marvell承诺每年约70,000片面板,而英特尔承诺每年超过10,000片面板。合计的采购意向超过了计划产能的5,800片面板/月 (约每年69,600片)。该设施旨在服务数据中心、高性能计算、人工智能应用和国防电子,同时帮助印度在先进封装材料以及3D异构集成 (3DHI) 技术方面建立本土能力。

إخلاء المسؤولية: قد تكون المعلومات الواردة في هذه الصفحة من مصادر خارجية ولا تمثل آراء أو مواقف Gate. المحتوى المعروض في هذه الصفحة هو لأغراض مرجعية فقط ولا يشكّل أي نصيحة مالية أو استثمارية أو قانونية. لا تضمن Gate دقة أو اكتمال المعلومات، ولا تتحمّل أي مسؤولية عن أي خسائر ناتجة عن استخدام هذه المعلومات. تنطوي الاستثمارات في الأصول الافتراضية على مخاطر عالية وتخضع لتقلبات سعرية كبيرة. قد تخسر كامل رأس المال المستثمر. يرجى فهم المخاطر ذات الصلة فهمًا كاملًا واتخاذ قرارات مدروسة بناءً على وضعك المالي وقدرتك على تحمّل المخاطر. للتفاصيل، يرجى الرجوع إلى إخلاء المسؤولية.
تعليق
0/400
لا توجد تعليقات