Багато людей не усвідомлюють, що роль індустрії пам’яті зазнає кардинальних змін. Раніше гігант GPU Nvidia був лише великим покупцем пам’яті, а тепер поступово рухається до більш глибоких позицій у ланцюгу виробництва: бере участь у розробці наступного покоління зберігаючих чіпів. За повідомленнями корейських ЗМІ, Samsung вже налагодила співпрацю з Nvidia для спільної розробки наступного покоління NAND Flash пам’яті. У майбутньому пам’ять більше не буде стандартним товаром, а стане ключовим компонентом, створеним спеціально для архітектури AI.
(Що змінилося у Vera Rubin від Nvidia? Аналіз епохи боротьби за пам’ять: SK Hynix, Samsung, Micron, SanDisk)
Nvidia прискорює розробку чіпів для AI у 10 000 разів
За словами джерел, дослідницький інститут Samsung Semiconductor, Nvidia та команда дослідників Georgia Institute of Technology спільно розробили AI-модель під назвою Physics-Informed Neural Operator (PINO). Ця система може аналізувати характеристики нових NAND-пам’ятних пристроїв і працює у понад 10 000 разів швидше за традиційні методи моделювання.
У розробці напівпровідників інженери зазвичай використовують симуляційний інструмент TCAD (Technology Computer-Aided Design) для тестування дизайну чіпів. Однак цей метод потребує близько 60 годин на один цикл, що суттєво обмежує ефективність досліджень. Команда, поєднавши фізичні закони з нейронними мережами, навчила AI розуміти фізичну поведінку матеріалів і пристроїв, зменшивши час моделювання до менш ніж 10 секунд. Цей результат був опублікований у міжнародних дослідницьких спільнотах.
Таємна зброя Samsung: ферроелектрична NAND
Ключовою технологією цієї співпраці є новий тип зберігаючої технології на основі ферроелектричних матеріалів. Властивість ферроелектричних матеріалів полягає в тому, що вони можуть зберігати поляризаційний стан позитивних і негативних зарядів навіть без постійного подання електроенергії, що робить їх придатними для зберігання інформації з дуже низким споживанням енергії. Samsung вже є провідним дослідником у цій галузі. Наприкінці 2025 року у науковому журналі Nature було опубліковано дослідження, яке показало, що ферроелектрична NAND може знизити споживання енергії приблизно на 96% у порівнянні з традиційною NAND.
Це означає, що у майбутньому системи AI при масштабному доступі до даних зможуть значно знизити енергоспоживання.
Чи будуть витіснені пам’яті, що лише розширюють потужності, але не вдосконалюють технології?
Ця співпраця символізує новий етап у боротьбі за пам’ять для AI. Раніше Nvidia здебільшого купувала високопродуктивну пам’ять (HBM) і NAND для підтримки AI GPU. Тепер компанія вирішила зайнятися розробкою спеціалізованої пам’яті, оскільки масштаб моделей AI стрімко зростає, і архітектура зберігання даних стає частиною дизайну систем AI. Можливо, у майбутньому чіпи пам’яті більше не будуть універсальними компонентами, а стануть «архітектурними плагінами», створеними спеціально для систем AI.
За даними Корейського патентного відомства (KIPO), на сьогодні понад 43,1% світових патентів, пов’язаних із ферроелектрикою, належать Кореї, з яких Samsung займає 27,8%.
Ця стаття «Від Nvidia не втриматися! Співпраця Nvidia із Samsung у розробці NAND — витіснять пам’ять, що лише розширює потужності?» вперше з’явилася на ABMedia.
Застереження: Інформація на цій сторінці може походити від третіх осіб і не відображає погляди або думки Gate. Вміст, що відображається на цій сторінці, є лише довідковим і не є фінансовою, інвестиційною або юридичною порадою. Gate не гарантує точність або повноту інформації і не несе відповідальності за будь-які збитки, що виникли в результаті використання цієї інформації. Інвестиції у віртуальні активи пов'язані з високим ризиком і піддаються значній ціновій волатильності. Ви можете втратити весь вкладений капітал. Будь ласка, повністю усвідомлюйте відповідні ризики та приймайте обережні рішення, виходячи з вашого фінансового становища та толерантності до ризику. Для отримання детальної інформації, будь ласка, зверніться до
Застереження.
