Mensagem do Gate News, 23 de abril — A TSMC revelou novas tecnologias de fabrico e de empacotamento concebidas para tornar os chips mais pequenos e mais rápidos, ao mesmo tempo que anunciou que continuará a utilizar as actuais máquinas ASML EUV, em vez de adoptar ferramentas mais recentes de litografia High-NA.
O processo A13 da empresa está direccionado para entrar em produção em 2029, enquanto N2U representa uma opção de menor custo para chips de smartphone, portátil e IA. Até 2028, a TSMC pretende empacotar 10 chips grandes com 20 pilhas de memória, em comparação com o design Vera Rubin da Nvidia, que inclui dois chips de computação e oito pilhas de memória.
A decisão contrasta com a concorrência que avança mais rapidamente com a tecnologia High-NA. A Intel já instalou o sistema High-NA Twinscan EXE:5200B da ASML e espera produção de risco em 2027, com produção em volume em 2028. A Samsung recebeu o seu primeiro scanner High-NA no final de 2025 e um segundo no primeiro semestre de 2026, enquanto a SK Hynix instalou uma ferramenta EUV High-NA em setembro de 2025. A escolha da TSMC reflecte considerações de custo e de risco, e não um afastamento total da tecnologia High-NA EUV.
Os analistas salientaram que desafios como a gestão térmica, a expansão de materiais e o aparecimento de fissuras permanecem por resolver. A ASML mantém um quase monopólio em sistemas EUV, com ZEISS SMT, Lam Research e Applied Materials posicionadas para beneficiar da vaga de investimentos. O fabricante chinês de chips SMIC continua incapaz de comprar ferramentas EUV devido a restrições de exportação.
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